Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 37.9 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, IPA60R099P6XKSA1, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 222-4640
- 制造商零件编号:
- IPA60R099P6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 222-4640
- 制造商零件编号:
- IPA60R099P6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 37.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 99mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 37.9A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolMOS | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 99mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon mos ™设计是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，它是根据超级连接（ sj ）原理设计的，由 Infineon 技术公司率先开发的。cool mos ™ P6 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和一流的创新。提供的器件具有快速切换 sj mosfet 的所有优点、同时不会降低易用性。极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。
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