Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=1.5 A, 3针, TO-251, CoolMOS系列

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RS 库存编号:
222-4716
制造商零件编号:
IPU80R4K5P7AKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.5A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

CoolMOS

包装类型

TO-251

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.5Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.9V

最大功耗 Pd

13W

最高工作温度

150°C

宽度

6.22mm

标准/认证

No

长度

6.73mm

高度

2.41mm

汽车标准

否

Infineon mos ™ P7 系列的设计为 800V 超级连接技术设定了新的基准，它将杰出的性能与最先进的易用性结合在一起，这是由英飞凌 18 年来领先的超级连接技术创新所产生的。

无铅引线电镀; 符合 RoHS

经过 100% 雪崩测试、具有出色的热阻

无卤、符合 IEC61249 - 2-23

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