Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=3 A, 3针, SOT-223, IPN70R系列

RS 库存编号:: 222-4921
制造商零件编号:: IPN70R2K0P7SATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=3 A, 3针, SOT-223, IPN70R系列

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RS 库存编号:: 222-4921
制造商零件编号:: IPN70R2K0P7SATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	3A
	最大漏源电压 Vd	700V
	系列	IPN70R
	包装类型	SOT-223
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	2Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	16V
	正向电压 Vf	0.9V
	最大功耗 Pd	6W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	3.8nC
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	150°C
	宽度	3.7mm
	长度	6.7mm
	标准/认证	No
	高度	1.8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 3A
	最大漏源电压 Vd 700V
	系列 IPN70R
	包装类型 SOT-223
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 2Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 16V
	正向电压 Vf 0.9V
	最大功耗 Pd 6W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.8nC
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 150°C
	宽度 3.7mm
	长度 6.7mm
	标准/认证 No
	高度 1.8mm
	汽车标准否

Datasheet - IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon IPN70R 系列 MOSFET,700V 最大漏源电压,3A 最大连续漏电流 - IPN70R2K0P7SATMA1

这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为需要提升漏源电压的电路中的表面安装式电源开关而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要控制栅极驱动和功耗管理的应用。

特性和优点：

• 700V 漏源额定值可实现高压切换能力
• 3A 连续漏电流支持中等电流负载
• 2 Ω 最大 RDS(on) 可减少轻负载下的传导损耗
• 3.8 nC 典型栅极电荷可最大限度减少开关能量
• 16 V 最大栅极-源极限允许标准栅极驱动级别
• 6W 最大功耗有助于在 SOT-223 中进行热管理

应用

• 适用于需要高压开关的电源
• 适用于具有中等电流需求的开关模式稳压器
• 用于工业控制设备的线路侧开关
• 可用于高电压运行的照明驱动器
• 用于需要紧凑电源的表面贴装组件

它在运行过程中能承受的环境温度是多少?

它的工作温度范围为 -40°C 至 150°C。

封装对安装和热路径有何影响?

SOT-223封装专为表面安装而设计,并提供适合其6W额定耗散电流的热路径。

为了安全运行,需要考虑哪些栅极驱动因素?

栅极电压不得超过 16 V,应进行控制以实现所需的增强传导,同时遵守 3.8 nC 的栅极电荷。

设计人员应如何考虑额定电流下的传导损耗?

使用最大 2 Ω 漏源电阻,在高达 3 A 的连续电流下估计最差情况下的导电损耗。