STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 45 A, H2PAK, 表面安装, 7引脚
- RS 库存编号:
- 224-9997
- 制造商零件编号:
- SCTH35N65G2V-7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 224-9997
- 制造商零件编号:
- SCTH35N65G2V-7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 45A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | H2PAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 67mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 208W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14nC | |
| 正向电压 Vf | 3.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 15.25mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 宽度 | 4.8 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 45A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 H2PAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 67mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 208W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC | ||
正向电压 Vf 3.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 15.25mm | ||
长度 10.4mm | ||
宽度 4.8 mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 设备是使用 ST 的 Advanced 和创新的第 2 代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备的单位面积具有极低的接通电阻和非常好的切换性能。切换损耗的变化几乎与接点温度无关。
非常快速且坚固的本征主体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
源感应引脚，用于提高效率