Infineon N沟道耗尽型MOSFET, Vds=250 V, Id=100 mA, 3针, SOT-23, BSS139I系列

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RS 库存编号:
225-0562
制造商零件编号:
BSS139IXTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100mA

最大漏源电压 Vd

250V

系列

BSS139I

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

12.5Ω

通道模式

耗尽

最大功耗 Pd

0.36W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.3nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.2V

最高工作温度

150°C

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

标准/认证

No

高度

1.12mm

汽车标准

否

Infineon BSS139I 是小信号，小功率 N 沟道和 P 沟道 MOSFET ，可提供广泛的 VGS (th) 电平和 RDS (on) 值以及多种电压等级。此 MOSFET 具有增强型和耗尽型选项。

印刷电路板空间和成本节省

栅极驱动灵活性

降低设计复杂性

环保型

整体效率高

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