Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, Si2387DS-T1-GE3, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
228-2814
制造商零件编号:
Si2387DS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

SOT-23

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

11Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.8nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2.5W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

1.12mm

汽车标准

否

Vishay TrenchFET Gen IV P 通道功率 MOSFET 用于负载开关，电路保护和电动机驱动器控制。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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