Vishay P型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=20 V, 3.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2367DS-T1-GE3, Si2367DS系列
- RS 库存编号:
- 165-6933
- 制造商零件编号:
- SI2367DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 165-6933
- 制造商零件编号:
- SI2367DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | Si2367DS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.066Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 1.7W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 标准/认证 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.8A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 Si2367DS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.066Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 1.7W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.02mm | ||
标准/认证 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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