Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=850 V, 9 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SIHA24N80AE-GE3, E系列

RS 库存编号:: 228-2836
制造商零件编号:: SIHA24N80AE-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=850 V, 9 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SIHA24N80AE-GE3, E系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 管，共 50 件）*

RMB816.85

(不含税)

RMB923.05

650 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	Per Tube*
50 - 50	RMB16.337	RMB816.85
100 - 450	RMB16.01	RMB800.50
500 - 950	RMB15.53	RMB776.50
1000 +	RMB15.064	RMB753.20

* 参考价格

RS 库存编号:: 228-2836
制造商零件编号:: SIHA24N80AE-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	9A
	最大漏源电压 Vd	850V
	包装类型	TO-220
	系列	E
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	184mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	35W
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	59nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 9A
	最大漏源电压 Vd 850V
	包装类型 TO-220
	系列 E
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 184mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 35W
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 59nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHA24N80AE-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET,850 V 最大漏源电压,9 A 最大连续漏电流 - SIHA24N80AE-GE3

此功率 MOSFET 是一款高电压 N 型增强装置,设计用于工业电子系统中的开关和功率转换功能。它采用TO-220通孔封装,便于直接安装和热接口,适用于需要稳健排放源电压处理和中等电流能力的设备。

特性和优点：

• 850 V 最大漏源电压,适用于高压开关应用
• 9 A 连续漏电流,可适度处理负载
• 184 mΩ Rds(on),提供可预测的传导损耗
• 59 nC 典型栅极电荷,允许控制开关能量
• 35W 功耗,可实现显著的散热空间
• 最高工作温度为150°C,支持高温环境

应用

• 适用于需要高压开关组件的电源
• 适用于工业电机驱动门级电路
• 用于自动化系统中的高压缓冲器和夹具电路
• 可用于照明和控制设备的线路侧开关
• 适用于需要通孔安装的原型和生产板

设计人员应遵守哪些栅极电压限制以确保安全操作?

栅极-源电压不得超过 30 V,以避免过度压力栅极介电体。

热管理如何影响连续电流能力?

35W 耗散额定值假设有效散热

如果没有足够的热路径,接点温度将会上升,连续电流能力将降低。

此设备是否适用于需要特定汽车标准的汽车应用?

它不符合汽车特定标准,应在使用前根据车辆级认证要求进行评估。

鉴于栅极电荷和Rds(on),预期的切换优势是多少?

中等栅极电荷与 184 mΩ 导通电阻相结合,指示开关损耗与传导损耗之间的平衡

栅极驱动强度和开关频率将决定整体效率。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=850 V, 9 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SIHA24N80AE-GE3, E系列

批量定价选项