Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=850 V, 3 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, E Series系列
- RS 库存编号:
- 228-2839
- 制造商零件编号:
- SiHA5N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥249.75
(不含税)
¥282.20
(含税)
有库存
- 850 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB4.995 | RMB249.75 |
| 100 - 450 | RMB4.871 | RMB243.55 |
| 500 - 950 | RMB4.749 | RMB237.45 |
| 1000 - 1950 | RMB4.63 | RMB231.50 |
| 2000 + | RMB4.514 | RMB225.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2839
- 制造商零件编号:
- SiHA5N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最大漏源电压 | 850 V | |
| 封装类型 | TO-220 FP | |
| 系列 | E Series | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 1.35. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3 A | ||
最大漏源电压 850 V | ||
封装类型 TO-220 FP | ||
系列 E Series | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 1.35. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET 可减少开关和传导损耗。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容 (Co (er))
低有效电容 (Co (er))