Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=850 V, 3 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SiHA5N80AE-GE3, E系列

RS 库存编号:: 228-2840
制造商零件编号:: SiHA5N80AE-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=850 V, 3 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SiHA5N80AE-GE3, E系列

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制造商零件编号:: SiHA5N80AE-GE3
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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	3A
	最大漏源电压 Vd	850V
	系列	E
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.35Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	29W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	11nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 3A
	最大漏源电压 Vd 850V
	系列 E
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.35Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 29W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SiHA5N80AE-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET,850 V 漏源电压,3 A 最大连续漏电流 - SiHA5N80AE-GE3

此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为工业电子系统中的开关和电源管理角色设计。它采用TO-220通孔封装,带三个连接,适用于需要分立安装和热管理的应用。该组件可在宽温度范围内工作,并符合 RoHS 标准。

特性和优点：

• 850 V 最大漏电压可实现高电压切换
• 3A 连续漏电流支持中等负载电流
• 1.35Ω 漏源电阻可减少传导损耗
• 29W 功耗可实现持久热负载
• 11nC 典型栅极电荷可提高开关效率
• ±30V 栅极-源容差可保护栅极驱动灵活性

应用

• 适用于高电压开关模式电源
• 特别适用于带分立组件的工业电机驱动前端
• 用于高压系统中的照明镇流器控制
• 可用于电源转换中的逆变相位切换

它在运行过程中可承受的温度范围是多少?

它的额定工作温度低至-55°C和高达150°C,可在热变化较大的环境中使用。

封装选择对热管理有何影响?

TO-220封装提供适用于散热器的金属插片,在安装到外部冷却器时可提高排热效果。

此设备需要考虑哪些栅极驱动因素?

栅极应在 ±30V 范围内驱动,尺寸应适应 11nC 典型栅极电荷,以确保可靠的开关性能。

该设备是否符合环境物质限制要求?

它符合RoHS要求,表明其结构中限制某些危险物质。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=850 V, 3 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SiHA5N80AE-GE3, E系列

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