制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=21 A, 3针, TO-263, E系列

RS 库存编号:: 228-2847
制造商零件编号:: SIHB24N80AE-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=21 A, 3针, TO-263, E系列

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20 - 24	RMB29.34	RMB58.68
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* 参考价格

RS 库存编号:: 228-2847
制造商零件编号:: SIHB24N80AE-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	21A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	TO-263
	系列	E
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	184mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	59nC
	最大功耗 Pd	208W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 21A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 TO-263
	系列 E
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 184mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 59nC
	最大功耗 Pd 208W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - SIHB24N80AE-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET 可减少开关和传导损耗。

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容 (Co (er))

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