Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=8 A, 3针, TO-263, E系列

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包装方式：
RS 库存编号:
210-4967
制造商零件编号:
SIHB11N80AE-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

TO-263

系列

E

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

391mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

最大功耗 Pd

78W

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

9.65mm

高度

4.06mm

长度

14.61mm

汽车标准

否

Vishay e 系列功率 mosfet 采用 D2PAK （图 263 ）封装类型、采用单配置。

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容（吻）

减少切换和传导损耗

超低栅极电荷 (Qg)

雪崩能量等级（ uis ）

集成齐纳二极管 esd 保护

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