Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 146 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SiR580DP-T1-RE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2908
- 制造商零件编号:
- SiR580DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 包，共 5 件）*
RMB98.70
(不含税)
RMB111.55
(含税)
有库存
- 5,980 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB19.74 | RMB98.70 |
| 50 - 95 | RMB19.248 | RMB96.24 |
| 100 - 245 | RMB18.768 | RMB93.84 |
| 250 - 995 | RMB18.294 | RMB91.47 |
| 1000 + | RMB17.834 | RMB89.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2908
- 制造商零件编号:
- SiR580DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 146A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 50.6nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 146A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 50.6nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay TrenchFET N 通道为 80 V MOSFET。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试