Vishay N型, N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 67.4 A, PowerPAK 1212-8SH, 表面, 表面安装, 8引脚, SiSH536DN-T1-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2928
- 制造商零件编号:
- SiSH536DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 228-2928
- 制造商零件编号:
- SiSH536DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 67.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8SH | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面, 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.25mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 26.5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.6nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型, N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 67.4A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8SH | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面, 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.25mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 26.5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.6nC | ||
最大栅源电压 Vgs 16V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay N 沟道 30V (D-S) MOSFET。
通过 100% 栅极电阻与 UIS 测试