Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 18 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SQSA70CENW-T1_GE3, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
228-2972
制造商零件编号:
SQSA70CENW-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

68.5mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

62.5W

正向电压 Vf

0.85V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

长度

3.3mm

标准/认证

AEC-Q101

高度

3.3mm

宽度

3.3 mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay TrenchFET 汽车 N 通道是 150 V 功率 MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试