Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=545 A, 15针, DirectFET, AUIRF系列

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包装方式：
RS 库存编号:
229-1738
制造商零件编号:
AUIRF8739L2TR
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

545A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

AUIRF

包装类型

DirectFET

安装类型

表面

引脚数目

15

最大漏源电阻 Rd

0.6mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

375nC

最大功耗 Pd

340W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

40V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

长度

9.15mm

宽度

7.1mm

标准/认证

No

高度

740μm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET 采用 DirectFET L8 封装，可实现高达 Tjmax 的重复雪崩。 它具有快速切换速度和无铅。

它符合 RoHS 标准且符合 AEC 标准

它具有 175°C 工作温度

它具有双面冷却功能

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