Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=40 A, 8针, PQFN, IAUT系列

RS 库存编号:: 229-1813
制造商零件编号:: IAUZ40N10S5N130ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=40 A, 8针, PQFN, IAUT系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 10 件）*

RMB38.47

(不含税)

RMB43.47

19,870 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
10 - 10	RMB3.847	RMB38.47
20 - 90	RMB3.75	RMB37.50
100 - 240	RMB3.675	RMB36.75
250 +	RMB3.565	RMB35.65

* 参考价格

RS 库存编号:: 229-1813
制造商零件编号:: IAUZ40N10S5N130ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	40A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	IAUT
	包装类型	PQFN
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	13mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.1V
	最大功耗 Pd	68W
	最高工作温度	+175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 40A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 IAUT
	包装类型 PQFN
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 13mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.1V
	最大功耗 Pd 68W
	最高工作温度 +175°C
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IAUZ40N10S5N130ATMA1

Infineon IAUT 系列 MOSFET,100V 最大漏源电压,40A 最大连续漏电流 - IAUZ40N10S5N130ATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流增强模式 N 沟道晶体管,专为要求严苛的电子系统中的表面贴装电源开关而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要强大的栅极处理能力和强大的连续电流能力的应用。

特性和优点：

• 100V 漏源额定值,支持更高电压直流-直流转换
• 40A 连续漏电流支持持久的高负载运行
• 13mΩ 低 Rds(on),可减少开关过程中的传导损耗
• 68W 功耗,可实现更大的散热空间
• ±20V 栅极-源极限为栅极驱动摆动容差
• 温度范围为 -55°C 至 +175°C,确保在恶劣环境中运行

应用

• 适用于电源中的直流-直流转换器级别
• 适用于汽车环境中的高电流开关
• 用于电动汽车子系统的电源管理
• 可用于需要无铅包装的表面贴装设计
• 与电池管理和配电电路配合使用

它在电路板组装时使用哪种封装类型?

它采用无铅PQFN封装,适用于表面安装。

哪些栅极驱动因素对于可靠开关非常重要?

栅极偏移必须保持在 ±20V 范围内,以避免栅极介电应力并确保安全运行。

热管理对连续电流能力有何影响?

68W 额定功耗表示该设备可承受大量热量,需要足够的 PCB 热通道和铜面积才能承受 40A 连续漏电流。

环境限制对其在极端条件下的部署有何影响?

其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,可在各种环境温度和高温条件下使用。