Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 20 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IPZ40N04S53R1ATMA1, IPZ系列
- RS 库存编号:
- 229-1850
- 制造商零件编号:
- IPZ40N04S53R1ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB5.105 | RMB51.05 |
| 20 - 90 | RMB4.976 | RMB49.76 |
| 100 - 240 | RMB4.852 | RMB48.52 |
| 250 - 490 | RMB4.732 | RMB47.32 |
| 500 + | RMB4.612 | RMB46.12 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1850
- 制造商零件编号:
- IPZ40N04S53R1ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IPZ | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 71W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IPZ | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 71W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.05mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.3mm | ||
宽度 3.3 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon n 通道正常电平功率 MOSFET ，用于汽车应用。它具有 175°C 工作温度和 100% 雪崩测试。
它符合 RoHS 标准且符合 AEC Q101 标准