onsemi P型沟道 P型 MOSFET, Vds=30 V, 263 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, NTMFS002P03P8ZT1G, NTK系列
- RS 库存编号:
- 229-6465
- 制造商零件编号:
- NTMFS002P03P8ZT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB23.512 | RMB117.56 |
| 10 - 95 | RMB22.808 | RMB114.04 |
| 100 - 245 | RMB22.102 | RMB110.51 |
| 250 - 495 | RMB21.632 | RMB108.16 |
| 500 + | RMB21.162 | RMB105.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6465
- 制造商零件编号:
- NTMFS002P03P8ZT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 263A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | NTK | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | P | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 138.9W | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 217nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 263A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 NTK | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 P | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 138.9W | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 217nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.1 mm | ||
高度 5.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor N 通道功率 MOSFET 具有超低通态电阻。它具有 226 A 的漏极电流。它用于电源负载开关和电池管理。
提高系统效率
节省空间
出色的热传导
无铅
无卤素 / 不含 BFR