制造商编号

onsemi N沟道MOSFET, Vds=120 V, Id=79 A, 8针, SO-8, NTMF系列

RS 库存编号:: 229-6466
制造商零件编号:: NTMFS008N12MCT1G
制造商:: onsemi

onsemi N沟道MOSFET, Vds=120 V, Id=79 A, 8针, SO-8, NTMF系列

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RS 库存编号:: 229-6466
制造商零件编号:: NTMFS008N12MCT1G
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	79A
	最大漏源电压 Vd	120V
	包装类型	SO-8
	系列	NTMF
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	20mΩ
	通道模式	P
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	102W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	33nC
	最高工作温度	175°C
	高度	5.3mm
	长度	6.3mm
	宽度	1.1mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 79A
	最大漏源电压 Vd 120V
	包装类型 SO-8
	系列 NTMF
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 20mΩ
	通道模式 P
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 102W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC
	最高工作温度 175°C
	高度 5.3mm
	长度 6.3mm
	宽度 1.1mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - NTMFS008N12MCT1G

ON Semiconductor N 通道功率 MOSFET 扁平引线封装设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。它可用于开关电源，电源开关，电池管理和保护。

有效减少传导损耗

有效减少驱动器损耗

符合 RoHS

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