制造商编号

onsemi N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=241.3 A, 8针, H-PSOF

RS 库存编号:: 229-6503
制造商零件编号:: NVBLS1D7N08H
制造商:: onsemi

onsemi N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=241.3 A, 8针, H-PSOF

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10 - 98	RMB41.195	RMB82.39
100 - 248	RMB39.935	RMB79.87
250 - 498	RMB39.075	RMB78.15
500 +	RMB38.225	RMB76.45

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RS 库存编号:: 229-6503
制造商零件编号:: NVBLS1D7N08H
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	241.3A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	H-PSOF
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.7mΩ
	通道模式	N
	最大功耗 Pd	237.5W
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	121nC
	最高工作温度	175°C
	长度	10.2mm
	高度	13.28mm
	宽度	2.4mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 241.3A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 H-PSOF
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ
	通道模式 N
	最大功耗 Pd 237.5W
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 121nC
	最高工作温度 175°C
	长度 10.2mm
	高度 13.28mm
	宽度 2.4mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - NVBLS1D7N08H

ON Semiconductor 汽车功率 MOSFET 采用收费封装，提供高效设计和高热性能。漏极电流为 241.3 A

有效减少传导损耗

有效减少驱动器损耗

低接通状态电阻

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