STMicroelectronics 单 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, B-2, 表面安装, 2引脚, RF2L系列
- RS 库存编号:
- 230-0086
- 制造商零件编号:
- RF2L36075CF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 120 - 120 | RMB1,359.644 | RMB163,157.28 |
| 240 - 240 | RMB1,332.451 | RMB159,894.12 |
| 360 + | RMB1,292.477 | RMB155,097.24 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 230-0086
- 制造商零件编号:
- RF2L36075CF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 工作频率 | 3.5 GHz | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | RF2L | |
| 包装类型 | B-2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 20.57mm | |
| 宽度 | 19.44 mm | |
| 高度 | 3.61mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 典型功率增益 | 12.5dB | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
工作频率 3.5 GHz | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 RF2L | ||
包装类型 B-2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 2 | ||
通道模式 增强 | ||
最高工作温度 200°C | ||
晶体管配置 单 | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 20.57mm | ||
宽度 19.44 mm | ||
高度 3.61mm | ||
汽车标准 否 | ||
典型功率增益 12.5dB | ||
STMicroelectronics RF2L36075CF2 是一款 75 W 内部匹配 LDMOS 晶体管，设计用于频率范围为 3.1 至 3.6 GHz 的多层 WCDMA/PCS/DCS/LTE 基站和 S 波段雷达应用。它可用于 AB 类， B 类或 C 类，用于所有典型的蜂窝基站调制格式。
高效率和线性增益操作
集成式防静电装置
内部输入匹配，易于使用
较大的正负栅极源电压范围，用于改进 C 类操作
出色的热稳定性，低 HCI 漂移