制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=90 V, 5针, LBB, RF3L系列

RS 库存编号:: 230-0090
制造商零件编号:: RF3L05250CB4
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=90 V, 5针, LBB, RF3L系列

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单位	每单位
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100 - 249	RMB2,151.55
250 - 499	RMB2,121.44
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* 参考价格

RS 库存编号:: 230-0090
制造商零件编号:: RF3L05250CB4
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	工作频率	650MHz
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大漏源电压 Vd	90V
	包装类型	LBB
	系列	RF3L
	安装类型	表面
	引脚数目	5
	通道模式	增强
	最高工作温度	200°C
	晶体管配置	单
	长度	28.95mm
	宽度	16.51mm
	高度	4.85mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否
	典型功率增益	18dB

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	工作频率 650MHz
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大漏源电压 Vd 90V
	包装类型 LBB
	系列 RF3L
	安装类型表面
	引脚数目 5
	通道模式增强
	最高工作温度 200°C
	晶体管配置单
	长度 28.95mm
	宽度 16.51mm
	高度 4.85mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否
	典型功率增益 18dB

Datasheet - RF3L05250CB4

STMicroelectronics RF3L05250CB4 是 250 W 28/32 V LDMOS FET ，设计用于高频至 1 GHz 频率的宽带通信和 ISM 应用。它可在 AB/B/C 类中用于所有典型调制格式。

高效率和线性增益操作

集成式防静电装置

较大的正负栅极 / 源电压范围，用于改进 C 类操作

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