STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=90 V, LBB, 贴片安装, 5引脚, RF3L系列
- RS 库存编号:
- 230-0090
- 制造商零件编号:
- RF3L05250CB4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
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| 100 - 249 | RMB1,898.97 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 230-0090
- 制造商零件编号:
- RF3L05250CB4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大漏源电压 | 90 V | |
| 封装类型 | LBB | |
| 系列 | RF3L | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻值 | 1. Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大漏源电压 90 V | ||
封装类型 LBB | ||
系列 RF3L | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻值 1. Ω | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
STMicroelectronics RF3L05250CB4 是 250 W 28/32 V LDMOS FET ，设计用于高频至 1 GHz 频率的宽带通信和 ISM 应用。它可在 AB/B/C 类中用于所有典型调制格式。
高效率和线性增益操作
集成式防静电装置
较大的正负栅极 / 源电压范围，用于改进 C 类操作
集成式防静电装置
较大的正负栅极 / 源电压范围，用于改进 C 类操作