STMicroelectronics N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=120 A, 8针, PowerFLAT, STL1系列

此图片代表整个产品系列，仅供参考。

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 3000 件）*

RMB53,412.00

(不含税)

RMB60,357.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年2月25日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
3000 - 12000RMB17.804RMB53,412.00
15000 +RMB17.448RMB52,344.00

* 参考价格

RS 库存编号:
230-0096
制造商零件编号:
STL125N8F7AG
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

PowerFLAT

系列

STL1

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

4.5mΩ

最大功耗 Pd

167W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

76nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

5.2mm

长度

6.4mm

高度

1mm

汽车标准

AEC-Q101

STMicroelectronics STL125N8F7AG 是 N 沟道功率 MOSFET ，采用 STripFET F7 技术，具有增强型沟道栅极结构，可产生非常低的通态电阻，同时还可减少内部电容和栅极电荷，实现更快，更高效的切换。

高耐雪崩性

可润侧翼封装

符合 AEC-Q101

出色的 FOM.

相关链接