制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=52 A, 3针, TO-247, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 233-3487
制造商零件编号:: AIMW120R035M1HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=52 A, 3针, TO-247, CoolSiC系列

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单位	每单位
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RS 库存编号:: 233-3487
制造商零件编号:: AIMW120R035M1HXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	52A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	系列	CoolSiC
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	35mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	59nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	228W
	正向电压 Vf	5.2V
	最大栅源电压 Vgs	23V
	最高工作温度	175°C
	高度	5.3mm
	长度	16.3mm
	宽度	21.5mm
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 52A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	系列 CoolSiC
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 35mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 59nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 228W
	正向电压 Vf 5.2V
	最大栅源电压 Vgs 23V
	最高工作温度 175°C
	高度 5.3mm
	长度 16.3mm
	宽度 21.5mm
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - AIMW120R035M1HXKSA1

用于汽车系列的 Infineon CoolSiC MOSFET 专为混合动力和电动车辆中的当前和未来板载充电器和直流 - 直流应用而开发。它具有 52 A 漏极电流。

提高效率

启用更高频率

功率密度增加

降低冷却力

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