ROHM , 1 N型, P型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 8.5 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8MB系列, SH8MB5TB1
- RS 库存编号:
- 234-2986
- 制造商零件编号:
- SH8MB5TB1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB14.856 | RMB74.28 |
| 50 - 95 | RMB14.588 | RMB72.94 |
| 100 - 245 | RMB14.33 | RMB71.65 |
| 250 - 995 | RMB14.07 | RMB70.35 |
| 1000 + | RMB13.818 | RMB69.09 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 234-2986
- 制造商零件编号:
- SH8MB5TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SOP | |
| 系列 | SH8MB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 19mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8.5A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SOP | ||
系列 SH8MB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 19mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.6nC | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
高度 1.75mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6 mm | ||
长度 5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
RHOM SH8MB5 系列是低接通电阻 MOSFET ，特别适用于开关应用。小型表面安装封装 (SOP8) 有助于节省空间。
低接通电阻
小型表面安装封装 (SOP8)
无铅电镀 ;
符合 RoHS
无卤素