ROHM , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 8 A, SOP-8, 表面安装, 6引脚, SH8系列, SH8KE7TB1
- RS 库存编号:
- 264-710
- 制造商零件编号:
- SH8KE7TB1
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 卷，共 5 件）*
¥81.05
(不含税)
¥91.60
(含税)
有库存
- 另外 100 件在 2026年2月23日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB16.21 | RMB81.05 |
| 50 - 95 | RMB15.414 | RMB77.07 |
| 100 - 495 | RMB14.258 | RMB71.29 |
| 500 - 995 | RMB13.132 | RMB65.66 |
| 1000 + | RMB12.632 | RMB63.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-710
- 制造商零件编号:
- SH8KE7TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | SOP-8 | |
| 系列 | SH8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, Halogen Free | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 SOP-8 | ||
系列 SH8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 20.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.8nC | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, Halogen Free | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 低导通电阻 MOSFET 是开关和电机驱动的理想选择。该产品包括两个 100V Nch MOSFET，采用小型表面贴装封装 (SOP8)。
小型表面贴装封装（SOP8）
无铅电镀; 符合 RoHS 标准
无卤素