ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=70 A, 3针

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RS 库存编号:
235-2677
制造商零件编号:
R6070JNZ4C13
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

70A

最大漏源电压 Vd

600V

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

58mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

770W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

165nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

宽度

2.71mm

标准/认证

No

长度

16.24mm

高度

21.25mm

汽车标准

ROHM PrestoMOS 系列功率 MOSFET 具有快速反向恢复时间,适用于开关应用。它提高了设计灵活性,同时保持了业界最快的反向恢复时间,针对冰箱和空调等家用电器中的 EV 充电站和电动机驱动器进行了优化。

低接通电阻

快速切换速度

可简单驱动电路

无铅电镀

符合 RoHS

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