ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=39 A, 8针, HSMT

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RS 库存编号:
235-2774
制造商零件编号:
RQ3P300BHTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

39A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

HSMT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

15.5mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

2W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

36nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

3.4mm

宽度

0.85mm

标准/认证

No

长度

3.15mm

汽车标准

具有低通态电阻的 ROHM N 沟道功率 MOSFET 具有 100 V 的漏极至源电压它特别适用于开关用途。

小型表面安装封装

无铅引线电镀

符合 RoHS

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