ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=40 A, HSMT-8, RH6P040BH系列
- RS 库存编号:
- 252-3154
- 制造商零件编号:
- RH6P040BHTB1
- 制造商:
- ROHM
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- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 系列 | RH6P040BH | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb Free | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
系列 RH6P040BH | ||
最大漏源电阻 Rd 2.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.7nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, Pb Free | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Rohms RH 系列功率 Mosfet 具备低接通电阻，适合用于开关。无卤，并通过了 100% Rg 和 UIS 测试，输入电压为 100 V。
工作接点和存储温度范围为 -55°C 至 +150°C
安装在 cu 板上
漏电流为 40 A
功耗为 59 W
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