制造商编号

ROHM N型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, 6.5 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8KC6TB1

RS 库存编号:: 235-2812
制造商零件编号:: SH8KC6TB1
制造商:: ROHM

ROHM N型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, 6.5 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8KC6TB1

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RS 库存编号:: 235-2812
制造商零件编号:: SH8KC6TB1
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	6.5A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SOP
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	32mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	2W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	7.6nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	宽度	1.75mm
	高度	5.2mm
	长度	4.05mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 6.5A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SOP
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 32mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 2W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.6nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	宽度 1.75mm
	高度 5.2mm
	长度 4.05mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - SH8KC6TB1

ROHM 低接通电阻 MOSFET 特别适用于开关应用。此产品包括两个 60V MOSFET ，采用小型表面安装封装。

无铅电镀

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