ROHM 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3.5 A, SOP-8, 表面安装, 8引脚, SH8KC5TB1, SH8KC5系列

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331-692
制造商零件编号:
SH8KC5TB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

双N

最大连续漏极电流 Id

3.5A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOP-8

系列

SH8KC5

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

95mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.1nC

最大功耗 Pd

2W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

ROHM 功率 MOSFET 是一种低导通电阻 MOSFET,非常适合开关和电机驱动应用。这款功率 MOSFET 采用小型表面贴装封装。

无铅电镀

符合 RoHS 标准

无卤素

经过 100% Rg 和 UIS 测试