Microchip P型沟道增强型MOSFET, Vds=90 V, Id=250 mA, 3针, TO-92, VP0109系列
- RS 库存编号:
- 236-8963
- 制造商零件编号:
- VP0109N3-G
- 制造商:
- Microchip
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 236-8963
- 制造商零件编号:
- VP0109N3-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 250mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 90V | |
| 系列 | VP0109 | |
| 包装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 250mA | ||
最大漏源电压 Vd 90V | ||
系列 VP0109 | ||
包装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 8Ω | ||
通道模式 增强 | ||
Microchip 增强型 (常闭) 晶体管采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 特别适用于需要极低阈值电压，高击穿电压，高输入阻抗，低输入电容和快速切换速度的各种切换和放大应用。
无次级击穿
低功率驱动要求
易于并联
低 CISS 和快速切换速度
极好的热稳定性
一体式源极-漏极二极管
高输入阻抗和高增益
相关链接
- Microchip P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 140 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP0109N3-G, VP0109系列
- Microchip P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP3203N3-G, VP3203系列
- Microchip P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, 280 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP0808L-G, VP0808系列
- Microchip P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 140 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP0106N3-G, VP0106系列
- Microchip P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 140 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP0106系列
- Microchip N 沟道垂直 DMOS FET沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=90 V, 350 mA, TO-92-3 (TO-226AA), 通孔安装, 3引脚, VN0109N3-G, VN0109系列
- Microchip P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-60 V, -640 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP2206N3-G, VP2206系列
- Microchip P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-60 V, -640 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP2206系列