Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 12 A, PowerPAK SC-70, 表面安装, SIA4263DJ-T1-GE3, SiA4263DJ系列

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包装方式:
RS 库存编号:
239-5365
制造商零件编号:
SIA4263DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK SC-70

系列

SiA4263DJ

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

199mΩ

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19.8nC

最大功耗 Pd

15.6W

最大栅源电压 Vgs

±8 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

这款 Vishay P 沟道 MOSFET 的漏极电流为 -12 A,用于移动设备中的电池管理、电池开关、负载开关、PA 开关

VGS = -1.8 V 时的 RDS(导通)额定值

100% Rg 和 UIS 测试