制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=31 A, 7针, SC-70, SIA系列

RS 库存编号:: 279-9901
制造商零件编号:: SIA4446DJ-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=31 A, 7针, SC-70, SIA系列

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小计（1 卷，共 3000 件）*

RMB6,705.00

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单位	每单位	每卷*
3000 +	RMB2.235	RMB6,705.00

* 参考价格

RS 库存编号:: 279-9901
制造商零件编号:: SIA4446DJ-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	31A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	SIA
	包装类型	SC-70
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	0.011Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	19nC
	最大功耗 Pd	19.2W
	最大栅源电压 Vgs	16V
	最高工作温度	150°C
	长度	2.05mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 31A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 SIA
	包装类型 SC-70
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 0.011Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC
	最大功耗 Pd 19.2W
	最大栅源电压 Vgs 16V
	最高工作温度 150°C
	长度 2.05mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIA4446DJ-T1-GE3

Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

完全无铅 (Pb) 的器件

极低 RDS x Qg 品质因数

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

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