Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 72 A, PowerPAK 1212-8PT, 表面安装, 8引脚, SISA14BDN-T1-GE3, SiSA14BDN系列
- RS 库存编号:
- 239-5403
- 制造商零件编号:
- SISA14BDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥31.65
(不含税)
¥35.76
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 5,930 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB3.165 | RMB31.65 |
| 50 - 90 | RMB3.071 | RMB30.71 |
| 100 - 240 | RMB2.978 | RMB29.78 |
| 250 - 990 | RMB2.889 | RMB28.89 |
| 1000 + | RMB2.802 | RMB28.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5403
- 制造商零件编号:
- SISA14BDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 72A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8PT | |
| 系列 | SiSA14BDN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00538Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | 45 V | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 72A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8PT | ||
系列 SiSA14BDN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00538Ω | ||
最大栅源电压 Vgs 45 V | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.6nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.75mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.3mm | ||
宽度 3.3 mm | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Vishay N 沟道 MOSFET 的漏极电流为 72 A，用于大功率密度直流/直流转换、同步整流、VRM 和嵌入式直流/直流转换、电池保护
100 % Rg 和 UIS 测试