Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=60 V, 93.6 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚

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239-8643
制造商零件编号:
SIR188LDP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

93.6A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.75mΩ

通道模式

消耗

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

56nC

最大功耗 Pd

83W

最高工作温度

125°C

标准/认证

No

宽度

5.15 mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® 是 Gen IV 功率 N 通道 MOSFET,可在 60 V 下工作。此 MOSFET 用于初级侧开关、电动机驱动开关和同步整流。

超低电阻

UIS 测试

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