Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 381 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC系列

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RS 库存编号:
241-9674
制造商零件编号:
BSC066N06NSATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

381A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

BSC

包装类型

SuperSO8 5 x 6

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道 MOSFET 具有 60 V 漏源电压(VDS)和 64 A 漏电流(ID)。经优化用于开关模式电源(SMPS),如服务器、台式机和平板电脑充电器中的同步整流。此外,这些设备是一系列工业应用的完美选择,包括电机控制、太阳能微变频器和快速切换直流-直流转换器。

经优化,适合高性能 SMPS(例如,同步录音)

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卓越的热阻

N 沟道

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符合 IEC61249-2-21 无卤素