Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=212 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSZ系列

RS 库存编号:: 244-1567
制造商零件编号:: BSZ065N06LS5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=212 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSZ系列

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RS 库存编号:: 244-1567
制造商零件编号:: BSZ065N06LS5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	212A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	SuperSO8 5 x 6
	系列	BSZ
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	81W
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 212A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 SuperSO8 5 x 6
	系列 BSZ
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 81W
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - BSZ065N06LS5ATMA1

Infineon BSZ 系列 MOSFET,40V 最大漏源电压,212A 最大连续漏电流 - BSZ065N06LS5ATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流 N 通道开关设备,专为要求严苛的电子系统中的表面贴装电源管理而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要大量连续漏电流和低正向电压的高效传导的应用。

特性和优点：

• 212A 连续漏电流提供持久的高电流能力
• 0.7mΩ Rds(on) 可最大限度减少传导损耗,从而提高效率
• 81W 最大功耗,支持高热负载
• 1.2V 正向电压可减少负载下的电压下降
• 80nC 典型栅极电荷,可实现快速开关性能
• 20V 最大栅极-源额定值可保护栅极免受过电压影响

应用

• 适用于功率级别的高电流直流-直流转换器
• 适用于电机驱动半桥和H桥设计
• 用于电池保护和配电模块
• 可用于电源的同步整流
• 适用于工业控制装置的高功率开关

这款设备在运行过程中可承受的热量范围是多少?

它的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,可在恶劣温度环境中使用。

用于 PCB 组装的组件是如何包装的?

它采用 8 针 SuperSO8 5x6 表面贴装封装,适用于紧凑型板安装。

切换时需要考虑哪些栅极驱动因素?

驱动电路必须为典型 80nC 栅极电荷提供足够的电荷,以达到预期开关速度并遵守 20V 最大 Vgs 限制。