Infineon , 2 N型沟道 MOSFET, Vds=25 V, 50 A, TISON-8, 8引脚, BSG0810NDI系列, BSG0810NDIATMA1
- RS 库存编号:
- 242-0301
- 制造商零件编号:
- BSG0810NDIATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB17.925 | RMB35.85 |
| 10 - 98 | RMB17.59 | RMB35.18 |
| 100 - 248 | RMB17.26 | RMB34.52 |
| 250 - 498 | RMB16.92 | RMB33.84 |
| 500 + | RMB16.59 | RMB33.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 242-0301
- 制造商零件编号:
- BSG0810NDIATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 系列 | BSG0810NDI | |
| 包装类型 | TISON-8 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 6.25W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
系列 BSG0810NDI | ||
包装类型 TISON-8 | ||
引脚数目 8 | ||
最大栅源电压 Vgs ±16 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.4nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 6.25W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 电源模块是一款双非对称 N 通道 OptiMOS 5 MOSFET。单片集成类肖特基二极管。
无卤测试 IEC61249-2-21 标准
无铅引线电镀且符合 RoHS 标准