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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB8.584 | RMB42.92 |
| 50 - 495 | RMB7.15 | RMB35.75 |
| 500 + | RMB6.384 | RMB31.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5236
- 制造商零件编号:
- BSC0923NDIATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 封装类型 | PG-TISON-8 | |
| 配置 | 双 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
封装类型 PG-TISON-8 | ||
配置 双 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 8 | ||
Infineon MOSFET 是双 N 通道 MOSFET。它经过优化,用于高性能降压转换器。此 MOSFET 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。此 MOSFET 无卤,符合 IEC61249 2 21 标准。
逻辑级别
符合 RoHS 标准
无铅引线镀层
100% 风暴测试
符合 RoHS 标准
无铅引线镀层
100% 风暴测试