Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=84 A, 3针, TO-220, IPA系列

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RS 库存编号:
242-0981
制造商零件编号:
IPA029N06NXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

84A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IPA

包装类型

TO-220

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.9mΩ

通道模式

P

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon N 通道功率 MOSFET 采用 TO-220-3 封装形式。最大连续漏电流为 84 A，漏源电压为 60 V。工作温度从 -55 °C 至 175 °C。适合于工业应用，其中包括电机控制、太阳能微变频器和快速切换式 DC-DC 变换器。

通孔插装技术

38 W 功耗

最高系统效率

更少的并联需求

功率密度增强

降低系统成本

超低电压过冲

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