Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=11 A, 8针, PQFN, IRFH系列

RS 库存编号:: 243-9303
制造商零件编号:: IRL60HS118
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=11 A, 8针, PQFN, IRFH系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB27.65

(不含税)

RMB31.25

7,880 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
5 - 5	RMB5.53	RMB27.65
10 - 95	RMB5.398	RMB26.99
100 - 245	RMB5.272	RMB26.36
250 - 495	RMB5.144	RMB25.72
500 +	RMB5.018	RMB25.09

* 参考价格

RS 库存编号:: 243-9303
制造商零件编号:: IRL60HS118
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	11A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	IRFH
	包装类型	PQFN
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	最大功耗 Pd	81W
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 11A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 IRFH
	包装类型 PQFN
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	最大功耗 Pd 81W
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IRL60HS118

Infineon IRFH 系列 MOSFET,最大功耗 81W,最大漏极源电压 40V - IRL60HS118

这款 MOSFET 是一款表面贴装式电源开关,专为汽车和工业电子产品中的高电流高速开关而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要稳健热处理和低传导损耗的应用,同时满足车辆级电气要求。

特性和优点：

• 0.7mΩ Rds(on) 可减少传导损耗,从而提升效率
• 11A 连续漏电流支持持久的高电流运行
• 80nC 栅极电荷可实现快速切换,适用于高速电路
• 81W 功耗,可实现强大的热负载能力
• 40V 漏源额定值适用于中等电压功率级
• 20V 栅极-源极限为稳健的栅极驱动级别提供容差

应用

• 适用于汽车配电模块
• 适用于车辆系统中的直流-直流转换器
• 用于需要快速切换的电机控制级别
• 可用于工业电子设备的负载切换
• 适用于紧凑型电源板上的表面安装组装

它使用哪种封装类型进行安装?

它采用 8 针 PQFN 封装,适用于表面安装。

它在极端温度条件下的表现如何？

它的额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适用于严苛环境。

设计集成应考虑哪些通道极性?

该设备使用 N 通道传导通道,适用于低侧和同步拓扑。

汽车用途适用哪些可靠性标准?

它符合汽车半导体组件的 AEC-Q101 质量标准。

它是否符合环境危险限制要求?

它符合有关有害物质限制的 RoHS 要求。