制造商编号

Infineon P型沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=180 A, 3针, TO-252, IPD系列

RS 库存编号:: 244-0880
制造商零件编号:: IPD650P06NMATMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=180 A, 3针, TO-252, IPD系列

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10 - 98	RMB17.825	RMB35.65
100 - 248	RMB17.395	RMB34.79
250 - 498	RMB16.98	RMB33.96
500 +	RMB16.57	RMB33.14

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RS 库存编号:: 244-0880
制造商零件编号:: IPD650P06NMATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	180A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	IPD
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	正向电压 Vf	1V
	最大功耗 Pd	81W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 180A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 IPD
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	正向电压 Vf 1V
	最大功耗 Pd 81W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPD650P06NMATMA1

Infineon MOSFET OptiMOSTM 功率晶体管采用无铅镀层，符合 RoHS 标准，满足 IEC61249-2-21 的无卤素要求。

P 通道

超低导通电阻 RDS （导通）

100% 通过崩溃测试

正常能级

增强型

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