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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1500 - 1500 | RMB6.344 | RMB9,516.00 |
| 3000 - 3000 | RMB6.217 | RMB9,325.50 |
| 4500 + | RMB6.093 | RMB9,139.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-9186
- 制造商零件编号:
- NTMFS6H824NT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 DFN | ||
安装类型 贴片 | ||
ON Semiconductor MOSFET 漏极−μ V 至−μ V 电源电压为 60 V ，栅极−Ω 至−μ V 电源电压为 ±20 V
体积小巧 (5 x 6 mm)，可实现紧凑设计
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
−器件无铅且符合 RoHS 标准
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
−器件无铅且符合 RoHS 标准