onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 58 A, DFN, 通孔安装, 5引脚, NTMFS6H824NT1G, NTM系列

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RS 库存编号:
244-9187
制造商零件编号:
NTMFS6H824NT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

58A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

NTM

包装类型

DFN

安装类型

通孔

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

22mΩ

通道模式

N

最大功耗 Pd

117W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

38nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

ON Semiconductor MOSFET 漏极−μ V 至−μ V 电源电压为 60 V ,栅极−Ω 至−μ V 电源电压为 ±20 V

体积小巧 (5 x 6 mm),可实现紧凑设计

低 RDS(接通),可最大限度地减少传导损耗

低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗

−器件无铅且符合 RoHS 标准