Infineon N沟道MOS管, Vds=600 V, 16 A, TO-252, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 244-9740
- 制造商零件编号:
- IPD60R145CFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-9740
- 制造商零件编号:
- IPD60R145CFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 16 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 16 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon IPD60R145CFD7ATMA1 600V CoolMOS CFD7 是 Infineon 最新具有集成快速体二极管的高压超结 MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷 (Qg) 和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷 (Qrr) 比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间 (trr)。
超快速体二极管
一流的反向恢复电荷 (Qrr)
改善的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 强度
极低的 FOM RDS(on) x Qg 和 Eoss
一流的 RDS(on)/封装组合
一流的反向恢复电荷 (Qrr)
改善的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 强度
极低的 FOM RDS(on) x Qg 和 Eoss
一流的 RDS(on)/封装组合