ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 10.7 A, TSMT-8, RQ7L055BG系列
- RS 库存编号:
- 246-3954
- 制造商零件编号:
- RQ7L055BGTCR
- 制造商:
- ROHM
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- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TSMT-8 | |
| 系列 | RQ7L055BG | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10.7A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TSMT-8 | ||
系列 RQ7L055BG | ||
最大漏源电阻 Rd 2.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.6nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM N 沟道功率 MOSFET ，提供小型表面安装封装，且可用于开关应用。
低接通电阻
小型表面安装封装 (TSMT8)
无铅电镀
符合 RoHS