ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 10.7 A, TSMT-8, RQ7L055BG系列

小计(1 卷,共 3000 件)*

¥7,788.00

(不含税)

¥8,799.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
库存信息目前无法查询
单位
每单位
每卷*
3000 +RMB2.596RMB7,788.00

* 参考价格

RS 库存编号:
246-3954
制造商零件编号:
RQ7L055BGTCR
制造商:
ROHM
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10.7A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

RQ7L055BG

包装类型

TSMT-8

最大漏源电阻 Rd

2.7mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.6nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

ROHM N 沟道功率 MOSFET ,提供小型表面安装封装,且可用于开关应用。

低接通电阻

小型表面安装封装 (TSMT8)

无铅电镀

符合 RoHS