DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 99 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 246-6866
- 制造商零件编号:
- DMT10H9M9SCT
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥313.70
(不含税)
¥354.50
(含税)
有库存
- 150 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB6.274 | RMB313.70 |
| 100 - 450 | RMB6.149 | RMB307.45 |
| 500 - 950 | RMB5.964 | RMB298.20 |
| 1000 + | RMB5.785 | RMB289.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-6866
- 制造商零件编号:
- DMT10H9M9SCT
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 99 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.016 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.9V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 99 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.016 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.9V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
DiodesZetex 制造新一代 N 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持快速切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 TO220AB 封装。它提供快速切换和高效率。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。
最大排放到源电压为 100 V，最大门到源电压为 ±20 V，提供低接通电阻，具有 高 BVDSS 额定值，适用于电源应用，提供低输入电容