onsemi N沟道MOS管, Vds=650 V, 47 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 248-5819
- 制造商零件编号:
- NTHL060N065SC1
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB50.293 | RMB1,508.79 |
| 60 - 60 | RMB49.287 | RMB1,478.61 |
| 90 + | RMB48.301 | RMB1,449.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-5819
- 制造商零件编号:
- NTHL060N065SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 47 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 47 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，44 mohm，650 V，M2，TO-247-3L
ON Semiconductor 碳化硅（SiC）MOSFET 是 N 通道 MOSFET，漏极到源极电压为 650 V，功率耗散为 176 W，TO247-3L 封装，此设备不含卤化物，符合 RoHS 的豁免 7a，无铅 2LI。
超低栅极电荷 74 nC
低电容 133 pF
100% 经雪崩测试
温度 175°C
RDS（on）44 欧姆
低电容 133 pF
100% 经雪崩测试
温度 175°C
RDS（on）44 欧姆